Por essa John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain, que inventaram o transistor em 1947, quando trabalhavam nos famosos Laboratórios Bell, não podiam esperar. Cientistas da Universidade de Illinois em Urbana-Champaign, nos Estados Unidos, acabam de quebrar o recorde de velocidade para um transistor de maneira surpreendente.
Com uma freqüência de 845 Gigahertz, o novo dispositivo fez o até então recordista comer poeira, sendo mais de 50% mais veloz. Feito de fosfito de índio e de arseneto de gálio e índio – os transistores tradicionais são de silício ou germânio -, o novo dispositivo se aproxima da marca do terahertz, o “cálice sagrado” que vem sendo buscado por diversos centros de pesquisa na área no mundo.
O novo transistor será apresentado nesta quarta-feira, dia 13, na reunião da International Electronics Device, em São Francisco.
“A composição utilizada permite um aumento na velocidade dos elétrons e reduz tanto a densidade da corrente quanto o tempo de carregamento dos sinais elétricos”, explica Milton Feng, professor de Engenharia Elétrica e de Computação e um dos responsáveis pela montagem do novo transistor.
